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4月14日“创源”大讲堂:高压大功率IGBT器件结温分布准确测量技术研究

2023年04月11日 18:43 点击数:

报告题目:高压大功率IGBT器件结温分布准确测量技术研究

报告人:邓二平,博士,教授,“黄山学者”优秀青年,中国能源学会专家委员会委员

主持人:葛兴来,教授,569vip威尼斯游戏

时间:2023414日(星期五)上午930

地点:电气馆X10832

 

内容简介:

结温的准确量测对于器件的状态监测和失效评估非常重要,一直是热点话题,也是限制器件寿命的关键因素。随着功率器件功率密度的提高,芯片表面温度梯度更加明显,同时由于热耦合作用的存在使得各芯片间的温度分布也更不均匀,因此温度分布的准确量测对于失效定位和寿命分析显得尤为重要。本报告针对高压大功率IGBT器件结温分布测量存在的关键科学问题和技术难题,从多芯片并联器件的结温、器件内部各个芯片的结温分布以及单个芯片表面的结温分布三方面介绍。

主讲人简介:

邓二平,博士,教授,“黄山学者”优秀青年,中国能源学会专家委员会委员。

2013年哈尔滨工业大学本科毕业,2018年华北电力大学博士毕业后留校任教,2018~2020年德国开姆尼茨工业大学从事博士后研究工作。完成Infineon德国总部项目1项,主持国家自然基金青年基金1项、中央高校基金3项,参与国家自然科学基金2项(面上项目)和智能电网联合基金。第一作者或通讯作者发表论文80余篇,其中SCI检索论文30余篇, EI检索论文30余篇,申请发明专利50余项,授权7项。主要研究方向为高压大功率IGBT器件封装和可靠性研究、可靠性测试方法、测试技术、失效机理、寿命评估、寿命模型建立和在线状态监测。

请相互转告,欢迎全校师生参加。

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